Продукція > DIODES INC > DMN3024LSD-13
DMN3024LSD-13

DMN3024LSD-13 Diodes Inc


11_lnk_090721002413.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 52500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3024LSD-13 Diodes Inc

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.

Інші пропозиції DMN3024LSD-13 за ціною від 12.42 грн до 83.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3024LSD-13 DMN3024LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3024LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.94 грн
5000+14.99 грн
7500+14.31 грн
12500+12.72 грн
17500+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LSD-13 DMN3024LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3024LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 112335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.13 грн
10+42.11 грн
100+27.42 грн
500+19.78 грн
1000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LSD-13 DMN3024LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3024LSD.pdf MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V DUAL N-CHANNEL
на замовлення 44461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.45 грн
10+46.30 грн
100+20.17 грн
500+16.49 грн
1000+13.61 грн
2500+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3024LSD.pdf DMN3024LSD-13 Multi channel transistors
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.40 грн
54+22.11 грн
148+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.