Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3024LSS-13
DMN3024LSS-13

DMN3024LSS-13 Diodes Incorporated

DMN3024LSS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.07 грн
10+49.90 грн
25+41.81 грн
50+34.55 грн
100+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3024LSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V.

Інші пропозиції DMN3024LSS-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3024LSS-13 DMN3024LSS-13 Diodes Incorporated DMN3024LSS.pdf MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LSS-13 DMN3024LSS-13 Diodes Incorporated DMN3024LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LSS-13 DMN3024LSS.pdf
DMN3024LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LSS-13 DMN3024LSS.pdf
DMN3024LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.