Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3024LSS-13
DMN3024LSS-13

DMN3024LSS-13 Diodes Incorporated

DMN3024LSS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.16 грн
5000+13.38 грн
7500+13.24 грн
17500+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3024LSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3024LSS-13 за ціною від 13.03 грн до 50.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3024LSS-13 DMN3024LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3024LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V
на замовлення 29556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.73 грн
10+33.63 грн
100+23.03 грн
500+18.02 грн
1000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LSS-13 DMN3024LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3024LSS.pdf MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL
на замовлення 7083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.05 грн
10+36.71 грн
100+21.89 грн
500+17.28 грн
1000+15.81 грн
2500+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3024LSS.pdf DMN3024LSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.