DMN3024LSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 15.64 грн |
| 5000+ | 14.63 грн |
| 7500+ | 14.47 грн |
| 12500+ | 13.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3024LSS-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMN3024LSS-13 за ціною від 12.91 грн до 50.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN3024LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V |
на замовлення 17026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN3024LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL |
на замовлення 1965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|