Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3025LFDF-13

DMN3025LFDF-13 Diodes Incorporated

Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис DMN3025LFDF-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.9A; Idm: 40A; 1.3W, Mounting: SMD, Case: U-DFN2020-6, Kind of package: 13 inch reel; tape, Gate charge: 13.2nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 7.9A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 30mΩ, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 1.3W.

Інші пропозиції DMN3025LFDF-13

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	DMN3025LFDF-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.9A; Idm: 40A; 1.3W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 13.2nC Polarisation: unipolar Drain current: 7.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.3W	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн.

DMN3025LFDF-13

Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.9A; Idm: 40A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 13.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.3W

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.