DMN3025LFDF-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3025LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.0205 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 14.52 грн |
| 500+ | 12.41 грн |
| 1000+ | 10.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3025LFDF-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3025LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.0205 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660mW, Bauform - Transistor: UDFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN3025LFDF-7 за ціною від 8.46 грн до 40.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN3025LFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3025LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.0205 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN3025LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN3025LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V |
на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
DMN3025LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V |
на замовлення 179882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| DMN3025LFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN3025LFDF-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |