DMN3025LFDF-7

DMN3025LFDF-7 DIODES INC.


DMN3025LFDF.pdf Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3025LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.0205 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.12 грн
500+10.65 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3025LFDF-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN3025LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.0205 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660mW, Bauform - Transistor: UDFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMN3025LFDF-7 за ціною від 8.46 грн до 40.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3025LFDF-7 DMN3025LFDF-7 Виробник : DIODES INC. DMN3025LFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMN3025LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.0205 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.23 грн
35+24.18 грн
100+12.79 грн
500+11.27 грн
1000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-7 DMN3025LFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009691264_1-2543385.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.68 грн
11+30.96 грн
100+15.01 грн
1000+10.23 грн
3000+8.98 грн
9000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-7 DMN3025LFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3025LFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-7 DMN3025LFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3025LFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 179882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3025LFDF.pdf DMN3025LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.