Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3025LFG-7
DMN3025LFG-7

DMN3025LFG-7 Diodes Incorporated

DMN3025LFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605 pF @ 15 V
на замовлення 248000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+11.35 грн
6000+10.37 грн
10000+9.63 грн
50000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3025LFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3025LFG-7 за ціною від 10.30 грн до 35.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3025LFG-7 DMN3025LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3025LFG.pdf Description: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605 pF @ 15 V
на замовлення 249949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
12+27.74 грн
100+19.27 грн
500+14.12 грн
1000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFG-7 DMN3025LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3025LFG.pdf MOSFETs 30V N-CH MOSFET
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.96 грн
12+30.29 грн
100+18.32 грн
500+14.27 грн
1000+11.62 грн
2000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3025LFG.pdf DMN3025LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.