DMN3025LFV-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.4 грн |
| 6000+ | 7.75 грн |
| 9000+ | 6.97 грн |
| 30000+ | 6.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3025LFV-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN3025LFV-13 за ціною від 7.1 грн до 37.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3025LFV-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3025LFV-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 54349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN3025LFV-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3025LFV-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN3025LFV-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 55A; 2.2W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 55A Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| DMN3025LFV-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 55A; 2.2W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 55A Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |