Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3025LSS-13
DMN3025LSS-13

DMN3025LSS-13 Diodes Incorporated

DMN3025LSS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.74 грн
5000+7.75 грн
7500+7.60 грн
12500+6.92 грн
17500+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3025LSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3025LSS-13 за ціною від 7.22 грн до 39.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3025LSS-13 DMN3025LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3025LSS.pdf MOSFETs 30V N-CH MOSFET
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.13 грн
13+27.62 грн
100+15.35 грн
500+11.55 грн
1000+10.34 грн
2500+7.68 грн
5000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LSS-13 DMN3025LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3025LSS.pdf Description: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 177486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.46 грн
13+25.97 грн
100+16.59 грн
500+11.76 грн
1000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LSS-13 DMN3025LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3025LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; Idm: 40A; 1.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.