на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 261+ | 6.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3026LVT-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN3026LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.6 A, 0.019 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN3026LVT-7 за ціною від 5.87 грн до 32.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3026LVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 15 V |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3026LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3026LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3026LVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3026LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.6 A, 0.019 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3026LVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 15 V |
на замовлення 41561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3026LVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3026LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.6 A, 0.019 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3026LVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgss 1.2W 643pF |
на замовлення 4541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3026LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| DMN3026LVT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN3026LVT-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |