Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3026LVT-7
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7 Diodes Incorporated

DMN3026LVT.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.35 грн
6000+6.78 грн
9000+6.11 грн
30000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3026LVT-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-23-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3026LVT-7 за ціною від 6.30 грн до 29.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3026LVT-7 DMN3026LVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3026LVT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 15 V
на замовлення 41561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.72 грн
15+20.36 грн
100+12.21 грн
500+10.61 грн
1000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3026LVT-7 DMN3026LVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3026LVT.pdf MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 20Vgss 1.2W 643pF
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.38 грн
15+22.90 грн
100+10.62 грн
1000+7.32 грн
3000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3026LVT-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3026LVT.pdf DMN3026LVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.