DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 18.59 грн |
| 6000+ | 16.96 грн |
| 10000+ | 15.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMN3027LFG-7 за ціною від 15.05 грн до 49.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN3027LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 18854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3027LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A |
на замовлення 3972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
