DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated


DMN3027LFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+18.38 грн
6000+16.77 грн
10000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN3027LFG-7 за ціною від 18.65 грн до 48.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3027LFG-7 DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated DMN3027LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.82 грн
10+40.37 грн
100+27.94 грн
500+21.91 грн
1000+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3027LFG-7 DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated DMN3027LFG.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A
на замовлення 3972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3027LFG-7 DMN3027LFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.82 грн
10+40.37 грн
100+27.94 грн
500+21.91 грн
1000+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3027LFG-7 DMN3027LFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A
на замовлення 3972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.