Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3028LQ-7
DMN3028LQ-7

DMN3028LQ-7 Diodes Incorporated

DMN3028LQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3028LQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN3028LQ-7 за ціною від 10.68 грн до 36.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3028LQ-7 DMN3028LQ-7 Diodes Incorporated DMN3028LQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.34 грн
13+23.60 грн
100+16.00 грн
500+11.76 грн
1000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3028LQ-7 DMN3028LQ-7 DIODES INC. DMN3028LQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN3028LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3028LQ-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0012994337_1-2543795.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 8655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3028LQ-7 DMN3028LQ.pdf
DMN3028LQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.34 грн
13+23.60 грн
100+16.00 грн
500+11.76 грн
1000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3028LQ-7 DMN3028LQ.pdf
DMN3028LQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3028LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3028LQ-7 DIOD_S_A0012994337_1-2543795.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 8655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.