на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 12.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3032LE-13 Diodes Inc
Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMN3032LE-13 за ціною від 10.60 грн до 53.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3032LE-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V |
на замовлення 1345000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN3032LE-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3032LE-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V |
на замовлення 1345053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN3032LE-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs FET BVDSS 25V 30V N-Ch 498pF 4.1nC |
на замовлення 17605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3032LE-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1141 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|