DMN3032LE-13 Diodes Incorporated


DMN3032LE.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+15.46 грн
5000+13.65 грн
7500+13.03 грн
12500+11.56 грн
17500+11.17 грн
25000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3032LE-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3032LE-13 за ціною від 15.85 грн до 63.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3032LE-13 DMN3032LE-13 Diodes Incorporated DMN3032LE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
на замовлення 107089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.54 грн
10+37.68 грн
100+24.44 грн
500+17.57 грн
1000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LE-13 DMN3032LE-13 Diodes Incorporated DMN3032LE.pdf MOSFETs FET BVDSS 25V 30V N-Ch 498pF 4.1nC
на замовлення 17605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LE-13 DMN3032LE.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
на замовлення 107089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.54 грн
10+37.68 грн
100+24.44 грн
500+17.57 грн
1000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LE-13 DMN3032LE.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs FET BVDSS 25V 30V N-Ch 498pF 4.1nC
на замовлення 17605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.