DMN3032LE-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 13.86 грн |
| 5000+ | 12.24 грн |
| 7500+ | 11.68 грн |
| 12500+ | 10.36 грн |
| 17500+ | 10.01 грн |
| 25000+ | 9.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3032LE-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMN3032LE-13 за ціною від 11.30 грн до 58.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3032LE-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 29mΩ Power dissipation: 1.8W Drain current: 4.1A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Drain-source voltage: 30V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SOT223 |
на замовлення 921 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN3032LE-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs FET BVDSS 25V 30V N-Ch 498pF 4.1nC |
на замовлення 17605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3032LE-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V |
на замовлення 84168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|