Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3032LFDB-13
DMN3032LFDB-13

DMN3032LFDB-13 Diodes Incorporated

DMN3032LFDB.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+8.59 грн
30000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3032LFDB-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B).

Інші пропозиції DMN3032LFDB-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3032LFDB-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3032LFDB.pdf DMN3032LFDB-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDB-13 DMN3032LFDB-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3032LFDB.pdf MOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.