Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3032LFDBQ-13
DMN3032LFDBQ-13

DMN3032LFDBQ-13 Diodes Incorporated

DMN3032LFDBQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30V 20Vgss 1.0W
на замовлення 69531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.23 грн
10+33.84 грн
100+19.03 грн
500+14.50 грн
1000+11.85 грн
2500+11.78 грн
5000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3032LFDBQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN3032LFDBQ-13 за ціною від 11.11 грн до 56.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3032LFDBQ-13 DMN3032LFDBQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3032LFDBQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.48 грн
10+33.69 грн
100+21.75 грн
500+15.59 грн
1000+14.03 грн
2000+12.72 грн
5000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-13 DMN3032LFDBQ-13 Виробник : Diodes Zetex 1031dmn3032lfdbq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-13 DMN3032LFDBQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3032LFDBQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3032LFDBQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 25A; 1.7W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.7W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.