Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3032LFDBQ-7
DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7 Diodes Incorporated

DMN3032LFDBQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.75 грн
6000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3032LFDBQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B).

Інші пропозиції DMN3032LFDBQ-7 за ціною від 13.46 грн до 46.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3032LFDBQ-7 DMN3032LFDBQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3032LFDBQ.pdf MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30V 20Vgss 1.0W
на замовлення 54379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.00 грн
10+38.75 грн
100+25.16 грн
500+19.79 грн
1000+15.30 грн
3000+13.90 грн
9000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7 DMN3032LFDBQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3032LFDBQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 143650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.16 грн
10+33.72 грн
100+22.57 грн
500+16.44 грн
1000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3032LFDBQ.pdf DMN3032LFDBQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.