Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3032LFDBQ-7
DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7 Diodes Incorporated

DMN3032LFDBQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.99 грн
6000+14.17 грн
9000+13.54 грн
15000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3032LFDBQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: UDFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN3032LFDBQ-7 за ціною від 10.69 грн до 65.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3032LFDBQ-7 DMN3032LFDBQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002497950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.17 грн
500+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7 DMN3032LFDBQ-7 Diodes Zetex 1031dmn3032lfdbq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7 DMN3032LFDBQ-7 Diodes Zetex 1031dmn3032lfdbq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7 DMN3032LFDBQ-7 Diodes Incorporated DMN3032LFDBQ.pdf MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30V 20Vgss 1.0W
на замовлення 5314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.58 грн
10+35.91 грн
100+20.18 грн
500+15.47 грн
1000+13.99 грн
3000+11.60 грн
6000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7 DMN3032LFDBQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002497950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.06 грн
21+40.45 грн
100+26.17 грн
500+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7 DMN3032LFDBQ-7 Diodes Incorporated DMN3032LFDBQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 15645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.67 грн
10+39.62 грн
100+25.74 грн
500+18.56 грн
1000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7 DIOD-S-A0002497950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN3032LFDBQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.17 грн
500+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7 1031dmn3032lfdbq.pdf
DMN3032LFDBQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7 1031dmn3032lfdbq.pdf
DMN3032LFDBQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7 DMN3032LFDBQ.pdf
DMN3032LFDBQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30V 20Vgss 1.0W
на замовлення 5314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.58 грн
10+35.91 грн
100+20.18 грн
500+15.47 грн
1000+13.99 грн
3000+11.60 грн
6000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7 DIOD-S-A0002497950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN3032LFDBQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3032LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+65.06 грн
21+40.45 грн
100+26.17 грн
500+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7 DMN3032LFDBQ.pdf
DMN3032LFDBQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 15645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.67 грн
10+39.62 грн
100+25.74 грн
500+18.56 грн
1000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.