Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3033LSD-13
DMN3033LSD-13

DMN3033LSD-13 Diodes Incorporated

ds31262.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.69 грн
10+42.86 грн
100+29.02 грн
500+21.93 грн
1000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3033LSD-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN3033LSD-13 за ціною від 16.83 грн до 68.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3033LSD-13 DMN3033LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31262.pdf MOSFETs NMOS-DUAL
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.96 грн
10+47.31 грн
100+27.93 грн
500+22.50 грн
1000+20.38 грн
2500+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSD-13 DMN3033LSD-13 Виробник : Diodes Inc 390ds31262.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSD-13 DMN3033LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31262.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSD-13 DMN3033LSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31262.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 30A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.