Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3033LSDQ-13
DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13 Diodes Incorporated

DMN3033LSDQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3033LSDQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN3033LSDQ-13 за ціною від 15.30 грн до 69.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3033LSDQ-13 DMN3033LSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3033LSDQ.pdf MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 20Vdss 20Vgss 30A
на замовлення 3267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.04 грн
10+39.32 грн
100+23.72 грн
500+19.84 грн
1000+16.84 грн
2500+16.03 грн
5000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSDQ-13 DMN3033LSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3033LSDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 29893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.69 грн
10+42.17 грн
100+27.51 грн
500+19.89 грн
1000+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSDQ-13 DMN3033LSDQ-13 Виробник : Diodes Inc dmn3033lsdq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A Automotive 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSDQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3033LSDQ.pdf DMN3033LSDQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.