Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3033LSNQ-7
DMN3033LSNQ-7

DMN3033LSNQ-7 Diodes Incorporated

DMN3033LSNQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3033LSNQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 6A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-59-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMN3033LSNQ-7 за ціною від 11.20 грн до 40.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3033LSNQ-7 DMN3033LSNQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3033LSNQ.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 10 V
на замовлення 8876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.43 грн
11+29.67 грн
100+20.65 грн
500+15.13 грн
1000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSNQ-7 DMN3033LSNQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3033LSNQ.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 6A 1.4W 2.1V
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.49 грн
10+34.18 грн
100+22.26 грн
500+17.50 грн
1000+13.54 грн
3000+11.49 грн
9000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSNQ-7 Виробник : Diodes Zetex 1033dmn3033lsnq.pdf N-Channel Enhancement Mode Mosfet
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSNQ-7 Виробник : Diodes Inc 1033dmn3033lsnq.pdf N-Channel Enhancement Mode Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LSNQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3033LSNQ.pdf DMN3033LSNQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.