Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3035LWN-7
DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated

DMN3035LWN.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 770mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3020-8 (Type N)
Part Status: Active
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.40 грн
6000+11.83 грн
9000+11.21 грн
15000+10.01 грн
21000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 770mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: V-DFN3020-8 (Type N), Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN3035LWN-7 за ціною від 11.32 грн до 56.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3035LWN-7 DMN3035LWN-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3035LWN.pdf MOSFET N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.23 грн
11+34.35 грн
100+20.83 грн
500+16.26 грн
1000+13.22 грн
3000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3035LWN-7 DMN3035LWN-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3035LWN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 770mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3020-8 (Type N)
Part Status: Active
на замовлення 80638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.73 грн
10+33.96 грн
100+21.91 грн
500+15.69 грн
1000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3035LWN-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3035LWN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 30A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.1W
Case: V-DFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.