Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3035LWN-7
DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated

DMN3035LWN.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 770mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3020-8 (Type N)
Part Status: Active
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.91 грн
6000+11.40 грн
9000+10.80 грн
15000+9.65 грн
21000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 770mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: V-DFN3020-8 (Type N), Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN3035LWN-7 за ціною від 10.91 грн до 54.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3035LWN-7 DMN3035LWN-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3035LWN.pdf MOSFET N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.72 грн
11+33.09 грн
100+20.06 грн
500+15.67 грн
1000+12.74 грн
3000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3035LWN-7 DMN3035LWN-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3035LWN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 770mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3020-8 (Type N)
Part Status: Active
на замовлення 80638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.65 грн
10+32.72 грн
100+21.11 грн
500+15.11 грн
1000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3035LWN-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3035LWN.pdf DMN3035LWN-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.