DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3020-8 (Type N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 770mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.90 грн |
| 6000+ | 11.39 грн |
| 9000+ | 10.79 грн |
| 15000+ | 9.64 грн |
| 21000+ | 9.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN3035LWN-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.035 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.78W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: V-DFN3020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.78W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMN3035LWN-7 за ціною від 10.76 грн до 58.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN3035LWN-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3035LWN-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.035 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.78W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN3020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.78W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3035LWN-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFNPart Status: Active Supplier Device Package: V-DFN3020-8 (Type N) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 770mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 80638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3035LWN-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3035LWN-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.035 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.78W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN3020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.78W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3035LWN-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF |
на замовлення 3245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DMN3035LWN-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3035LWN-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN3035LWN-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.99 грн |
| 500+ | 14.32 грн |
| 1000+ | 11.89 грн |
| DMN3035LWN-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3020-8 (Type N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 770mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3020-8 (Type N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 770mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 80638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.59 грн |
| 10+ | 32.68 грн |
| 100+ | 21.09 грн |
| 500+ | 15.10 грн |
| 1000+ | 13.58 грн |
| DMN3035LWN-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3035LWN-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN3035LWN-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 54.73 грн |
| 25+ | 34.05 грн |
| 100+ | 21.99 грн |
| 500+ | 14.32 грн |
| 1000+ | 11.89 грн |
| DMN3035LWN-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF
MOSFETs N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.58 грн |
| 10+ | 35.67 грн |
| 100+ | 20.11 грн |
| 500+ | 15.33 грн |
| 1000+ | 13.78 грн |
| 3000+ | 13.57 грн |
| 6000+ | 10.76 грн |




