DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 770mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3020-8 (Type N)
Part Status: Active
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.53 грн |
| 6000+ | 11.95 грн |
| 9000+ | 11.32 грн |
| 15000+ | 10.11 грн |
| 21000+ | 9.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 770mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: V-DFN3020-8 (Type N), Part Status: Active.
Інші пропозиції DMN3035LWN-7 за ціною від 11.43 грн до 57.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3035LWN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3035LWN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 770mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3020-8 (Type N) Part Status: Active |
на замовлення 80638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|