DMN3042L-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 6.10 грн |
| 20000+ | 5.39 грн |
| 30000+ | 5.15 грн |
| 50000+ | 4.58 грн |
| 70000+ | 4.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3042L-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 720mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMN3042L-13 за ціною від 4.12 грн до 32.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3042L-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 12Vgs 570pF |
на замовлення 54853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3042L-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 720mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2046277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|