DMN3042L-13 Diodes Incorporated


DMN3042L.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2030000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+6.01 грн
20000+5.32 грн
30000+5.08 грн
50000+4.51 грн
70000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3042L-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 720mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN3042L-13 за ціною від 5.86 грн до 32.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3042L-13 DMN3042L-13 Diodes Incorporated DMN3042L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2046277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
16+19.25 грн
100+12.15 грн
500+8.53 грн
1000+7.60 грн
2000+6.81 грн
5000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-13 DMN3042L-13 Diodes Incorporated DMN3042L.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 12Vgs 570pF
на замовлення 54853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-13 DMN3042L.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2046277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.55 грн
16+19.25 грн
100+12.15 грн
500+8.53 грн
1000+7.60 грн
2000+6.81 грн
5000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-13 DMN3042L.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 12Vgs 570pF
на замовлення 54853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.