Технічний опис DMN3042L-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN3042L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 720mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 720mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN3042L-7 за ціною від 3.90 грн до 30.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3042L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3042L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3042L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 720mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3042L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3042L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 720mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 720mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3042L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3042L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 720mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3042L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 10V 5.8A |
на замовлення 206400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3042L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 720mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V |
на замовлення 83734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3042L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMN3042L-7 | Виробник : Diodes |
Trans MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMN3042L-7 | Виробник : Diodes INC. |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 15, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 26,5 мОм @ 5,8 A, 10 В, Ugs(th) = 1,4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,72 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |