Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3042L-7
DMN3042L-7

DMN3042L-7 Diodes Incorporated

DMN3042L.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.36 грн
6000+5.56 грн
9000+5.27 грн
15000+4.64 грн
21000+4.45 грн
30000+4.28 грн
75000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3042L-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 720mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3042L-7 за ціною від 7.02 грн до 30.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3042L-7 DMN3042L-7 Diodes Incorporated DMN3042L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
на замовлення 83734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.22 грн
17+17.76 грн
100+11.24 грн
500+7.88 грн
1000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-7 DMN3042L-7 Diodes Incorporated DMN3042L.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 10V 5.8A
на замовлення 206400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-7 DMN3042L.pdf
DMN3042L-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
на замовлення 83734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.22 грн
17+17.76 грн
100+11.24 грн
500+7.88 грн
1000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3042L-7 DMN3042L.pdf
DMN3042L-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 10V 5.8A
на замовлення 206400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.