на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3042LFDF-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 30V 7A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMN3042LFDF-7 за ціною від 7.61 грн до 45.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3042LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 7A 6UDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN3042LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 3K |
на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3042LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 7A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V |
на замовлення 19889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN3042LFDF-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMN3042LFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DMN3042LFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.6A; Idm: 35A; 2.1W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.6A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 2.1W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.3nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |