DMN3051L-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.97 грн |
| 6000+ | 8.76 грн |
| 9000+ | 8.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3051L-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V.
Інші пропозиції DMN3051L-7 за ціною від 8.09 грн до 43.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3051L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 1.4W 30V 5.8A |
на замовлення 2577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3051L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V |
на замовлення 14761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|