DMN3051L-7 Diodes Incorporated


ds31347.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.06 грн
6000+8.84 грн
9000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3051L-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN3051L-7 за ціною від 8.16 грн до 44.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3051L-7 DMN3051L-7 Diodes Incorporated ds31347.pdf MOSFETs 1.4W 30V 5.8A
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.20 грн
13+25.39 грн
100+14.42 грн
500+10.55 грн
1000+8.44 грн
3000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3051L-7 DMN3051L-7 Diodes Incorporated ds31347.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 14761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.31 грн
12+26.28 грн
100+16.82 грн
500+11.92 грн
1000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3051L-7 ds31347.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 1.4W 30V 5.8A
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+40.20 грн
13+25.39 грн
100+14.42 грн
500+10.55 грн
1000+8.44 грн
3000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3051L-7 ds31347.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 14761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+44.31 грн
12+26.28 грн
100+16.82 грн
500+11.92 грн
1000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.