DMN3051LDM-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.59 грн |
| 6000+ | 10.44 грн |
| 15000+ | 9.72 грн |
| 30000+ | 8.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3051LDM-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT26, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-26, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMN3051LDM-7 за ціною від 8.58 грн до 33.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3051LDM-7 | Diodes Incorporated |
MOSFET 30V 4A N-CHANNEL |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 306-315 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3051LDM-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMN3051LDM-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 30V 4A N-CHANNEL
MOSFET 30V 4A N-CHANNEL
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 306-315 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.01 грн |
| 13+ | 26.37 грн |
| 100+ | 17.09 грн |
| 500+ | 13.50 грн |
| 1000+ | 10.48 грн |
| 3000+ | 8.65 грн |
| 9000+ | 8.58 грн |
| DMN3051LDM-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 5 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.23 грн |
| 12+ | 27.27 грн |
| 100+ | 20.36 грн |
| 500+ | 15.01 грн |
| 1000+ | 11.60 грн |