на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3053L-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMN3053L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN3053L-7 за ціною від 6.55 грн до 31.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3053L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 676 pF @ 15 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3053L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3053L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3053L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.48W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.48W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A On-state resistance: 50mΩ Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V |
на замовлення 1098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3053L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 676 pF @ 15 V |
на замовлення 8659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3053L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.48W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.48W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A On-state resistance: 50mΩ Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1098 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3053L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3053L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3053L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|