Технічний опис DMN3055LFDB-13 Diodes Inc
Description: MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B), Part Status: Active.
Інші пропозиції DMN3055LFDB-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3055LFDB-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
 DMN3055LFDB-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
DMN3055LFDB-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|
| DMN3055LFDB-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 10K |
товару немає в наявності |