Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3055LFDB-7
DMN3055LFDB-7

DMN3055LFDB-7 Diodes Incorporated

DMN3055LFDB.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 1851000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.04 грн
6000+8.84 грн
9000+8.42 грн
15000+7.45 грн
21000+7.19 грн
30000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3055LFDB-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN3055LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN3055LFDB-7 за ціною від 7.60 грн до 47.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3055LFDB-7 DMN3055LFDB-7 Виробник : DIODES INC. DMN3055LFDB.pdf Description: DIODES INC. - DMN3055LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.03 грн
500+11.30 грн
1000+9.39 грн
5000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDB-7 DMN3055LFDB-7 Виробник : DIODES INC. DMN3055LFDB.pdf Description: DIODES INC. - DMN3055LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.20 грн
33+24.89 грн
100+16.03 грн
500+11.30 грн
1000+9.39 грн
5000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDB-7 DMN3055LFDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3055LFDB.pdf Description: MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 1853725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.28 грн
12+26.63 грн
100+17.11 грн
500+12.19 грн
1000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDB-7 DMN3055LFDB-7 Виробник : Diodes Incorporated diodes inc_diod-s-a0004140802-1.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.13 грн
12+28.83 грн
100+16.09 грн
500+12.22 грн
1000+10.98 грн
3000+8.91 грн
6000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDB-7 DMN3055LFDB-7 Виробник : Diodes Inc dmn3055lfdb.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3055LFDB-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3055LFDB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 25A; 870mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 0.87W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.