Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3060L-13
DMN3060L-13

DMN3060L-13 Diodes Incorporated

DMN3060L.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.62 грн
20000+3.17 грн
30000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3060L-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 740mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3060L-13 за ціною від 3.66 грн до 21.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3060L-13 DMN3060L-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3060L.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 49990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.19 грн
26+12.57 грн
100+7.89 грн
500+5.46 грн
1000+4.83 грн
2000+4.30 грн
5000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060L-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3060L.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.