Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3060LCA3-7
DMN3060LCA3-7

DMN3060LCA3-7 Diodes Incorporated

DMN3060LCA3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 790mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.677 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 192 pF @ 15 V
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.26 грн
15+21.01 грн
100+12.62 грн
500+10.96 грн
1000+7.46 грн
2000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3060LCA3-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 8V, Power Dissipation (Max): 790mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: X4-DSN1006-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.677 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 192 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3060LCA3-7 за ціною від 5.88 грн до 29.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3060LCA3-7 DMN3060LCA3-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011756511_1-2543786.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
на замовлення 12581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.89 грн
17+19.78 грн
100+9.07 грн
1000+7.40 грн
2500+6.60 грн
10000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LCA3-7 Виробник : Diodes Inc dmn3060lca3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LCA3-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3060LCA3.pdf DMN3060LCA3-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LCA3-7 DMN3060LCA3-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3060LCA3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 790mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.677 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 192 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.