Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3060LVT-7
DMN3060LVT-7

DMN3060LVT-7 Diodes Incorporated


Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.16 грн
6000+8.05 грн
9000+7.66 грн
15000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3060LVT-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 830mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26.

Інші пропозиції DMN3060LVT-7 за ціною від 7.17 грн до 43.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3060LVT-7 DMN3060LVT-7 Diodes Incorporated Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 17925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.93 грн
13+24.61 грн
100+15.75 грн
500+11.18 грн
1000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LVT-7 DMN3060LVT-7 Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.73 грн
13+26.53 грн
100+14.77 грн
500+11.46 грн
1000+10.06 грн
3000+7.67 грн
6000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LVT-7
DMN3060LVT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 17925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.93 грн
13+24.61 грн
100+15.75 грн
500+11.18 грн
1000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LVT-7
DMN3060LVT-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.73 грн
13+26.53 грн
100+14.77 грн
500+11.46 грн
1000+10.06 грн
3000+7.67 грн
6000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.