DMN3060LVT-7 Diodes Incorporated
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.18 грн |
| 11+ | 30.45 грн |
| 100+ | 18.08 грн |
| 1000+ | 10.19 грн |
| 3000+ | 7.53 грн |
| 9000+ | 7.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3060LVT-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 25V~30V TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 830mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26.
Інші пропозиції DMN3060LVT-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3060LVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 25V~30V TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 |
товару немає в наявності |