DMN3061LCA3-7 Diodes Incorporated


DMN3061LCA3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 1.12W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3061LCA3-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN1006, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 500mA, 8V, Power Dissipation (Max): 1.12W, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: X4-DSN1006-3 (Type C), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Vgs (Max): 12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3061LCA3-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3061LCA3-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3061LCA3.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X4-DSN1006-3 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.