Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3061S-7
DMN3061S-7

DMN3061S-7 Diodes Incorporated

DMN3061S.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.57 грн
20+15.37 грн
100+9.62 грн
500+6.70 грн
1000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3061S-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN3061S-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3061S-7 DMN3061S-7 Diodes Incorporated DMN3061S.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061S-7 Diodes Incorporated DMN3061S.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 4759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061S-7 DMN3061S.pdf
DMN3061S-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061S-7 DMN3061S.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 4759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.