DMN3061SVT-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 8.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3061SVT-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 880mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26.
Інші пропозиції DMN3061SVT-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3061SVT-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K |
товару немає в наявності |