DMN3061SVTQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.75 грн |
| 13+ | 23.43 грн |
| 100+ | 11.81 грн |
| 500+ | 9.83 грн |
| 1000+ | 7.65 грн |
| 3000+ | 6.84 грн |
| 6000+ | 6.58 грн |
| 12000+ | 5.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3061SVTQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT26, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 880mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN3061SVTQ-7 за ціною від 5.08 грн до 26.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN3061SVTQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K |
на замовлення 1472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|