Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3061SWQ-13
DMN3061SWQ-13

DMN3061SWQ-13 Diodes Incorporated

DMN3061SWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278 pF @ 15 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.17 грн
30000+4.67 грн
50000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3061SWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3061SWQ-13 за ціною від 3.56 грн до 34.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3061SWQ-13 DMN3061SWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3061SWQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R 10K
на замовлення 19070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.60 грн
20+16.04 грн
100+7.04 грн
500+6.55 грн
1000+4.95 грн
5000+4.46 грн
10000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SWQ-13 DMN3061SWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3061SWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278 pF @ 15 V
на замовлення 98950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.51 грн
13+24.93 грн
100+14.09 грн
500+8.76 грн
1000+6.72 грн
2000+5.84 грн
5000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3061SWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3061SWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 22A; 650mW; SOT323
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 0.65W
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.