DMN3061SWQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278 pF @ 15 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 5.23 грн |
| 30000+ | 4.72 грн |
| 50000+ | 4.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3061SWQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMN3061SWQ-13 за ціною від 3.60 грн до 34.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3061SWQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323 T&R 10K |
на замовлення 20230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3061SWQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278 pF @ 15 V |
на замовлення 98950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN3061SWQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 22A; 650mW; SOT323 Case: SOT323 Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.7A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.65W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 3.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 22A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMN3061SWQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 22A; 650mW; SOT323 Case: SOT323 Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.7A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.65W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 3.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 22A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |