Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3061SWQ-13
DMN3061SWQ-13

DMN3061SWQ-13 Diodes Incorporated

DMN3061SWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278 pF @ 15 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.87 грн
30000+ 4.39 грн
50000+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3061SWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3061SWQ-13 за ціною від 3.96 грн до 33.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN3061SWQ-13 DMN3061SWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3061SWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278 pF @ 15 V
на замовлення 98950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.49 грн
13+ 23.47 грн
100+ 13.27 грн
500+ 8.25 грн
1000+ 6.32 грн
2000+ 5.5 грн
5000+ 4.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN3061SWQ-13 DMN3061SWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3061SWQ.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323 T&R 10K
на замовлення 11424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.37 грн
13+ 24.34 грн
100+ 12.02 грн
1000+ 6.08 грн
2500+ 5.33 грн
10000+ 4.16 грн
20000+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN3061SWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3061SWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Kind of package: tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN3061SWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3061SWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Kind of package: tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
товар відсутній