DMN3065LW-7 Diodes Incorporated


DMN3065LW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 810000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.22 грн
6000+6.31 грн
9000+5.98 грн
15000+5.27 грн
21000+5.06 грн
30000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3065LW-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3065LW-7 за ціною від 7.72 грн до 32.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3065LW-7 DMN3065LW-7 Diodes Incorporated DMN3065LW.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 812511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
16+19.48 грн
100+12.33 грн
500+8.66 грн
1000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3065LW-7 DMN3065LW-7 Diodes Incorporated DMN3065LW.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 465pF 5.5nC
на замовлення 14083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3065LW-7 DMN3065LW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 812511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.55 грн
16+19.48 грн
100+12.33 грн
500+8.66 грн
1000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3065LW-7 DMN3065LW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 465pF 5.5nC
на замовлення 14083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.