на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3065LW-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN3065LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 770mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 770mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN3065LW-7 за ціною від 4.66 грн до 41.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN3065LW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3065LW-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 261000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3065LW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 1302000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3065LW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 357000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3065LW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 357000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3065LW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V |
на замовлення 1311000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3065LW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3065LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 770mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3065LW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V |
на замовлення 1313777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3065LW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3065LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3065LW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 465pF 5.5nC |
на замовлення 14083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN3065LW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN3065LW-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 3021 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|