Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3065LW-7
DMN3065LW-7

DMN3065LW-7 Diodes Incorporated

DMN3065LW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 810000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.32 грн
6000+6.39 грн
9000+6.06 грн
15000+5.34 грн
21000+5.13 грн
30000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3065LW-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3065LW-7 за ціною від 4.82 грн до 32.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3065LW-7 DMN3065LW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3065LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323
Polarisation: unipolar
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 0.77W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.87 грн
21+20.17 грн
50+13.87 грн
100+11.85 грн
500+8.32 грн
1000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3065LW-7 DMN3065LW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3065LW.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 465pF 5.5nC
на замовлення 14083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.91 грн
18+18.55 грн
100+10.82 грн
500+8.17 грн
1000+7.19 грн
3000+5.03 грн
9000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3065LW-7 DMN3065LW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3065LW.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 812511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.99 грн
16+19.74 грн
100+12.50 грн
500+8.78 грн
1000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.