Технічний опис DMN3066LQ-13 Diodes Inc
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.9A; Idm: 21A; 1.33W; SOT23, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 2.9A, On-state resistance: 98mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.33W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 4.1nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 21A, Mounting: SMD, Case: SOT23, кількість в упаковці: 10000 шт.
Інші пропозиції DMN3066LQ-13
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN3066LQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.9A; Idm: 21A; 1.33W; SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.9A On-state resistance: 98mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.33W Polarisation: unipolar Gate charge: 4.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 21A Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
|
DMN3066LQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
DMN3066LQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.9A; Idm: 21A; 1.33W; SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.9A On-state resistance: 98mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.33W Polarisation: unipolar Gate charge: 4.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 21A Mounting: SMD Case: SOT23 |
товар відсутній |