DMN3067LW-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 5.22 грн |
| 30000+ | 4.97 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
10000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3067LW-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN3067LW-13 за ціною від 5.24 грн до 27.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN3067LW-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V |
на замовлення 45610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN3067LW-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN3067LW-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V
на замовлення 45610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.18 грн |
| 16+ | 18.70 грн |
| 100+ | 9.41 грн |
| 500+ | 7.83 грн |
| 1000+ | 6.09 грн |
| 2000+ | 5.45 грн |
| 5000+ | 5.24 грн |
| DMN3067LW-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)