Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3067LW-13
DMN3067LW-13

DMN3067LW-13 Diodes Incorporated

DMN3067LW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.21 грн
30000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3067LW-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-323, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN3067LW-13 за ціною від 5.23 грн до 27.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3067LW-13 DMN3067LW-13 Diodes Incorporated DMN3067LW.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V
на замовлення 45610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
16+18.66 грн
100+9.39 грн
500+7.81 грн
1000+6.08 грн
2000+5.44 грн
5000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-13 DMN3067LW-13 Diodes Incorporated DMN3067LW.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-13 DMN3067LW.pdf
DMN3067LW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V
на замовлення 45610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
16+18.66 грн
100+9.39 грн
500+7.81 грн
1000+6.08 грн
2000+5.44 грн
5000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-13 DMN3067LW.pdf
DMN3067LW-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.