Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > DMN3067LW-7

DMN3067LW-7

DMN3067LW.pdf
Код товару: 184252
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DMN3067LW-7 за ціною від 3.78 грн до 29.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Diodes Zetex dmn3067lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Diodes Incorporated DMN3067LW.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1229248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.05 грн
6000+5.42 грн
9000+5.01 грн
15000+4.53 грн
21000+4.35 грн
30000+4.18 грн
75000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Diodes Zetex dmn3067lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.66 грн
6000+6.37 грн
9000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Diodes Zetex dmn3067lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Diodes Incorporated DMN3067LW.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1229248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.06 грн
17+18.02 грн
100+9.48 грн
500+7.51 грн
1000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 DIODES INCORPORATED DMN3067LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 2.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT323
On-state resistance: 67mΩ
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.40 грн
22+19.28 грн
50+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Diodes Incorporated DMN3067LW.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 DIODES INC. DMN3067LW.pdf Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 DIODES INC. 2649031.pdf Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 dmn3067lw.pdf
DMN3067LW-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW.pdf
DMN3067LW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1229248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.05 грн
6000+5.42 грн
9000+5.01 грн
15000+4.53 грн
21000+4.35 грн
30000+4.18 грн
75000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 dmn3067lw.pdf
DMN3067LW-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.66 грн
6000+6.37 грн
9000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 dmn3067lw.pdf
DMN3067LW-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW.pdf
DMN3067LW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1229248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.06 грн
17+18.02 грн
100+9.48 грн
500+7.51 грн
1000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW.pdf
DMN3067LW-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 2.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT323
On-state resistance: 67mΩ
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.40 грн
22+19.28 грн
50+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW.pdf
DMN3067LW-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW.pdf
DMN3067LW-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 2649031.pdf
DMN3067LW-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.