DMN3067LW-7

DMN3067LW-7 Diodes Inc


dmn3067lw.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3067LW-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN3067LW-7 за ціною від 4.00 грн до 32.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn3067lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn3067lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.14 грн
6000+5.87 грн
9000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3067LW.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V
на замовлення 1229248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.41 грн
6000+5.74 грн
9000+5.31 грн
15000+4.80 грн
21000+4.61 грн
30000+4.43 грн
75000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : DIODES INC. 2649031.pdf Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.30 грн
1500+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn3067lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : DIODES INC. DMN3067LW.pdf Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+15.05 грн
73+11.73 грн
102+8.42 грн
500+7.08 грн
1500+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3067LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 10A
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.21 грн
24+16.90 грн
50+12.16 грн
100+10.58 грн
171+5.45 грн
470+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3067LW.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V
на замовлення 1229248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.70 грн
17+19.11 грн
100+10.05 грн
500+7.96 грн
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3067LW.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.22 грн
22+16.39 грн
100+10.54 грн
500+8.19 грн
1000+7.20 грн
3000+4.93 грн
6000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3067LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.65 грн
15+21.06 грн
50+14.59 грн
100+12.70 грн
171+6.54 грн
470+6.16 грн
6000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7
Код товару: 184252
Додати до обраних Обраний товар

DMN3067LW.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn3067lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn3067lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.