DMN3067LW-7

DMN3067LW-7 Diodes Zetex


dmn3067lw.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3067LW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN3067LW-7 за ціною від 3.92 грн до 30.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : Diodes Inc dmn3067lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn3067lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn3067lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1407000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3067LW.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V
на замовлення 1497000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.09 грн
6000+ 5.73 грн
9000+ 5.08 грн
30000+ 4.7 грн
75000+ 4 грн
150000+ 3.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : DIODES INC. 2649031.pdf Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+6.97 грн
1500+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : DIODES INC. 2649031.pdf Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
52+15.77 грн
66+ 12.44 грн
100+ 9.1 грн
500+ 6.97 грн
1500+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 52
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3067LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
On-state resistance: 67mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Case: SOT323
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+25.2 грн
22+ 17.66 грн
35+ 11.02 грн
50+ 8.98 грн
100+ 7.55 грн
160+ 5.51 грн
440+ 5.21 грн
1500+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3067LW.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V
на замовлення 1499496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.43 грн
16+ 18.87 грн
100+ 9.49 грн
500+ 7.9 грн
1000+ 6.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3067LW.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC
на замовлення 18062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+29.84 грн
16+ 21.5 грн
100+ 9.42 грн
1000+ 6.45 грн
3000+ 5.8 грн
9000+ 5 грн
24000+ 4.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3067LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
On-state resistance: 67mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.24 грн
13+ 22.01 грн
25+ 13.22 грн
50+ 10.78 грн
100+ 9.06 грн
160+ 6.62 грн
440+ 6.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn3067lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN3067LW-7
Код товару: 184252
DMN3067LW.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn3067lw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній