на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3067LW-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN3067LW-7 за ціною від 3.92 грн до 30.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3067LW-7 | Виробник : Diodes Inc |
 Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3067LW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3067LW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 1407000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN3067LW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V |
на замовлення 1497000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN3067LW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3067LW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3067LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN3067LW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.1A On-state resistance: 67mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 10A Mounting: SMD Case: SOT323 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3067LW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 10 V |
на замовлення 1499496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN3067LW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC |
на замовлення 18062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3067LW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.1A On-state resistance: 67mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 10A Mounting: SMD Case: SOT323 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3067LW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
DMN3067LW-7 Код товару: 184252 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
|
|
DMN3067LW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R |
товар відсутній |