DMN3069L-7

DMN3069L-7 DIODES INC.


DMN3069L.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3069L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.90 грн
34+24.00 грн
100+9.35 грн
500+6.92 грн
1000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3069L-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN3069L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN3069L-7 за ціною від 3.21 грн до 18.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3069L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3069L-3240531.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 10722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.95 грн
26+12.35 грн
100+5.58 грн
1000+5.02 грн
3000+4.74 грн
9000+4.11 грн
24000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3069L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3069L.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3069L-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3069L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.3W; SOT23
Drain-source voltage: 30V
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.