DMN3069L-7 Diodes Incorporated


DMN3069L-3240531.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 10722 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.12 грн
26+12.45 грн
100+5.63 грн
1000+5.06 грн
3000+4.78 грн
9000+4.15 грн
24000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3069L-7 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.3W; SOT23, Drain-source voltage: 30V, Case: SOT23, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 30mΩ, Power dissipation: 1.3W, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD, Gate charge: 4.3nC.

Інші пропозиції DMN3069L-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3069L-7 Diodes Incorporated DMN3069L.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3069L-7 DIODES INCORPORATED DMN3069L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.3W; SOT23
Drain-source voltage: 30V
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3069L-7 DMN3069L.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3069L-7 DMN3069L.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.3W; SOT23
Drain-source voltage: 30V
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.