DMN3069L-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3069L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3069L-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3069L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN3069L-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3069L-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K |
на замовлення 10722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN3069L-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 10722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)