DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.52 грн |
| 17+ | 19.19 грн |
| 100+ | 10.10 грн |
| 500+ | 8.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-59-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMN3070SSN-7 за ціною від 6.14 грн до 31.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3070SSN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-CH MOSFET |
на замовлення 19008 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3070SSN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
DMN3070SSN-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.3A; 0.5W; SC59; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.3A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMN3070SSN-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.3A; 0.5W; SC59; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.3A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |