DMN3071LFR4-7

DMN3071LFR4-7 Diodes Incorporated


DMN3071LFR4.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
на замовлення 2710 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.79 грн
19+18.80 грн
100+10.28 грн
500+7.75 грн
1000+6.83 грн
3000+5.45 грн
6000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3071LFR4-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1010-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3071LFR4-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3071LFR4-7 DMN3071LFR4-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3071LFR4.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3071LFR4-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3071LFR4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 15A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.1W
Case: X2-DFN1010-3
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.5nC
On-state resistance: 75mΩ
Pulsed drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.