Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3071LFR4-7R
DMN3071LFR4-7R

DMN3071LFR4-7R Diodes Incorporated

DMN3071LFR4.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.35 грн
6000+5.53 грн
9000+5.24 грн
15000+4.60 грн
21000+4.42 грн
30000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3071LFR4-7R Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1010-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3071LFR4-7R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3071LFR4-7R DMN3071LFR4-7R Виробник : Diodes Incorporated DMN3071LFR4-1532132.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.