DMN30H4D0L-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 12.55 грн |
| 20000+ | 11.23 грн |
| 30000+ | 11.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN30H4D0L-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DMN30H4D0L-13 за ціною від 11.09 грн до 61.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN30H4D0L-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh FET 300V 20Vgs 0.25A 0.31W |
на замовлення 27493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN30H4D0L-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V |
на замовлення 184415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN30H4D0L-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 2A; 470mW; SOT23 Case: SOT23 Drain current: 0.2A On-state resistance: 6Ω Power dissipation: 0.47W Pulsed drain current: 2A Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 300V Kind of channel: enhancement Gate charge: 7.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMN30H4D0L-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 2A; 470mW; SOT23 Case: SOT23 Drain current: 0.2A On-state resistance: 6Ω Power dissipation: 0.47W Pulsed drain current: 2A Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 300V Kind of channel: enhancement Gate charge: 7.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |