DMN30H4D0L-13

DMN30H4D0L-13 Diodes Incorporated


DMN30H4D0L.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
на замовлення 180000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+12.88 грн
20000+11.53 грн
30000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN30H4D0L-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN30H4D0L-13 за ціною від 11.39 грн до 62.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN30H4D0L-13 DMN30H4D0L-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN30H4D0L.pdf MOSFETs N-Ch Enh FET 300V 20Vgs 0.25A 0.31W
на замовлення 27493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.70 грн
10+36.43 грн
100+21.53 грн
500+16.42 грн
1000+13.48 грн
5000+12.16 грн
10000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-13 DMN30H4D0L-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN30H4D0L.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
на замовлення 184415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.83 грн
10+37.51 грн
100+24.25 грн
500+17.38 грн
1000+15.65 грн
2000+14.19 грн
5000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.