Продукція > DIODES ZETEX > DMN30H4D0L-7
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7 Diodes Zetex

dmn30h4d0l.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
721+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 721 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN30H4D0L-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMN30H4D0L-7 за ціною від 10.34 грн до 59.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 Diodes Zetex dmn30h4d0l.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 Diodes Incorporated DMN30H4D0L.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.20 грн
6000+12.56 грн
9000+11.99 грн
15000+10.65 грн
21000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 Diodes Zetex dmn30h4d0l.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 Diodes Incorporated DMN30H4D0L.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 163650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.54 грн
10+35.66 грн
100+23.08 грн
500+16.57 грн
1000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 DIODES INC. DIODS21272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 DIODES INC. DIODS21272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 Diodes Zetex dmn30h4d0l.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 721 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 Diodes Zetex dmn30h4d0l.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 dmn30h4d0l.pdf
DMN30H4D0L-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L.pdf
DMN30H4D0L-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.20 грн
6000+12.56 грн
9000+11.99 грн
15000+10.65 грн
21000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 dmn30h4d0l.pdf
DMN30H4D0L-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L.pdf
DMN30H4D0L-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 163650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.54 грн
10+35.66 грн
100+23.08 грн
500+16.57 грн
1000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DIODS21272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN30H4D0L-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DIODS21272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN30H4D0L-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 dmn30h4d0l.pdf
DMN30H4D0L-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 721 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 dmn30h4d0l.pdf
DMN30H4D0L-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.