на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 721+ | 10.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN30H4D0L-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN30H4D0L-7 за ціною від 10.64 грн до 61.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN30H4D0L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN30H4D0L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN30H4D0L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V |
на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN30H4D0L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN30H4D0L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN30H4D0L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V |
на замовлення 163650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN30H4D0L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
DMN30H4D0L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
DMN30H4D0L-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| DMN30H4D0L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN30H4D0L-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
DMN30H4D0L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh FET 300V 20Vgs 0.25A 0.31W |
товару немає в наявності |