Продукція > DIODES ZETEX > DMN30H4D0L-7
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7 Diodes Zetex

dmn30h4d0l.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN30H4D0L-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMN30H4D0L-7 за ціною від 10.97 грн до 63.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 Виробник : Diodes Zetex dmn30h4d0l.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
721+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 721
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 Виробник : Diodes Zetex dmn30h4d0l.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN30H4D0L.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.06 грн
6000+13.32 грн
9000+12.71 грн
15000+11.29 грн
21000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 Виробник : DIODES INC. DIODS21272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.42 грн
500+18.40 грн
1000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 Виробник : DIODES INC. DIODS21272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN30H4D0L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.49 грн
21+40.73 грн
100+25.42 грн
500+18.40 грн
1000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN30H4D0L.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
на замовлення 163650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.13 грн
10+37.82 грн
100+24.48 грн
500+17.57 грн
1000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN30H4D0L.pdf MOSFETs N-Ch Enh FET 300V 20Vgs 0.25A 0.31W
на замовлення 22920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.14 грн
10+38.62 грн
100+21.75 грн
500+16.22 грн
1000+14.63 грн
3000+12.20 грн
6000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 Виробник : Diodes Zetex dmn30h4d0l.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 Виробник : Diodes Zetex dmn30h4d0l.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 Виробник : Diodes Inc dmn30h4d0l.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN30H4D0L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 2A; 470mW; SOT23
Case: SOT23
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.47W
Pulsed drain current: 2A
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN30H4D0L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 2A; 470mW; SOT23
Case: SOT23
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.47W
Pulsed drain current: 2A
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.