DMN30H4D0LFDE-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.72 грн |
| 6000+ | 11.24 грн |
| 9000+ | 10.73 грн |
| 15000+ | 9.53 грн |
| 21000+ | 9.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN30H4D0LFDE-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 4 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 550mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.98W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMN30H4D0LFDE-7 за ціною від 12.45 грн до 73.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN30H4D0LFDE-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) FET Type: N-Channel |
на замовлення 183555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN30H4D0LFDE-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET |
на замовлення 337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN30H4D0LFDE-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 4 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 550mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.98W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
DMN30H4D0LFDE-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 4 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 550mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.98W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN30H4D0LFDE-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Description: MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 183555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.38 грн |
| 10+ | 33.06 грн |
| 100+ | 21.36 грн |
| 500+ | 15.32 грн |
| 1000+ | 13.79 грн |
| DMN30H4D0LFDE-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.35 грн |
| 10+ | 44.89 грн |
| 100+ | 25.25 грн |
| 500+ | 19.13 грн |
| 1000+ | 16.10 грн |
| 3000+ | 12.45 грн |
| DMN30H4D0LFDE-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 4 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.98W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 4 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.98W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DMN30H4D0LFDE-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 4 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.98W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 4 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.98W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.