DMN30H4D0LFDE-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.79 грн |
| 6000+ | 12.44 грн |
| 9000+ | 12.27 грн |
| 15000+ | 11.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN30H4D0LFDE-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 2.3 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 550mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.98W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN30H4D0LFDE-7 за ціною від 11.14 грн до 54.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN30H4D0LFDE-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 2.3 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 550mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.98W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN30H4D0LFDE-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 2.3 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 550mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.98W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN30H4D0LFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET |
на замовлення 3709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN30H4D0LFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V |
на замовлення 238416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN30H4D0LFDE-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.44A; 0.63W; U-DFN2020-6 Case: U-DFN2020-6 Drain current: 0.44A On-state resistance: 6Ω Power dissipation: 0.63W Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 300V Kind of channel: enhancement Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMN30H4D0LFDE-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.44A; 0.63W; U-DFN2020-6 Case: U-DFN2020-6 Drain current: 0.44A On-state resistance: 6Ω Power dissipation: 0.63W Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 300V Kind of channel: enhancement Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |