Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3110S-7
DMN3110S-7

DMN3110S-7 Diodes Incorporated

DMN3110S.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
на замовлення 726000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.97 грн
6000+12.35 грн
9000+11.79 грн
15000+10.47 грн
21000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3110S-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1mA, 10V, Power Dissipation (Max): 740mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3110S-7 за ціною від 12.89 грн до 60.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3110S-7 DMN3110S-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3110S.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K
на замовлення 9643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.34 грн
12+30.44 грн
100+19.11 грн
500+16.88 грн
1000+13.96 грн
3000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110S-7 DMN3110S-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3110S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
на замовлення 726619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.59 грн
10+36.13 грн
100+23.37 грн
500+16.78 грн
1000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110S-7 DMN3110S-7 Виробник : Diodes Inc dmn3110s.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110S-7 DMN3110S-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3110S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.6nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 3.1A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.