Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3110SQ-7
DMN3110SQ-7

DMN3110SQ-7 Diodes Incorporated

DMN3110SQ_Rev2-2_May2019.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3110SQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 740mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN3110SQ-7 за ціною від 5.81 грн до 37.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3110SQ-7 DMN3110SQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009189225_1-2543176.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.53 грн
15+22.59 грн
100+10.30 грн
1000+7.65 грн
3000+6.47 грн
9000+5.89 грн
24000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110SQ-7 DMN3110SQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3110SQ_Rev2-2_May2019.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305.8 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.40 грн
14+22.30 грн
100+14.15 грн
500+9.98 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3110SQ-7 Виробник : Diodes Inc dmn3110sq.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.