DMN3115UDMQ-13 Diodes Incorporated


DMN3115UDM.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3115UDMQ-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 12.8A; 900mW; SOT26, Case: SOT26, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.13Ω, Power dissipation: 0.9W, Drain current: 3.2A, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: 12.8A, Drain-source voltage: 30V, Kind of package: 13 inch reel; tape, Application: automotive industry.

Інші пропозиції DMN3115UDMQ-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3115UDMQ-13 DMN3115UDMQ-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 12.8A; 900mW; SOT26
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 3.2A
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 12.8A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3115UDMQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 12.8A; 900mW; SOT26
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 3.2A
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 12.8A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.