Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3135LVT-7
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated

DMN3135LVT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.17 грн
6000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 840mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26.

Інші пропозиції DMN3135LVT-7 за ціною від 9.85 грн до 56.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3135LVT-7 DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated DMN3135LVT-3002904.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V TSOT23 T&R 3K
на замовлення 28506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.53 грн
15+22.81 грн
100+16.17 грн
500+12.66 грн
1000+11.25 грн
3000+9.92 грн
6000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3135LVT-7 DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated DMN3135LVT.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.17 грн
10+33.37 грн
100+21.52 грн
500+15.41 грн
1000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3135LVT-7 DMN3135LVT-3002904.pdf
DMN3135LVT-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V TSOT23 T&R 3K
на замовлення 28506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.53 грн
15+22.81 грн
100+16.17 грн
500+12.66 грн
1000+11.25 грн
3000+9.92 грн
6000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3135LVT-7 DMN3135LVT.pdf
DMN3135LVT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.17 грн
10+33.37 грн
100+21.52 грн
500+15.41 грн
1000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.