DMN313DLT-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36.3 pF @ 5 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.51 грн |
| 6000+ | 2.34 грн |
| 9000+ | 2.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN313DLT-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 280mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36.3 pF @ 5 V.
Інші пропозиції DMN313DLT-7 за ціною від 2.35 грн до 23.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN313DLT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36.3 pF @ 5 V |
на замовлення 5604978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN313DLT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET FET BVDSS 25V 30V N-Ch Enh Mode 0.5nc |
на замовлення 8182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN313DLT-7 | Виробник : Diodes INC. |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 270 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 36,3 @ 5, Qg, нКл = 0,5, Rds = 2 Ом, Ugs(th) = 1,5, Р, Вт = 0,28, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-523-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|