Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN313DLT-7
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7 Diodes Incorporated

DMN313DLT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36.3 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5574000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.55 грн
6000+2.38 грн
9000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN313DLT-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36.3 pF @ 5 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-523, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 280mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 10mA, 4V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-523, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN313DLT-7 за ціною від 2.39 грн до 23.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN313DLT-7 DMN313DLT-7 Diodes Incorporated DMN313DLT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36.3 pF @ 5 V
на замовлення 5604978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.20 грн
28+10.89 грн
100+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN313DLT-7 DMN313DLT-7 Diodes Incorporated DMN313DLT.pdf MOSFET FET BVDSS 25V 30V N-Ch Enh Mode 0.5nc
на замовлення 8182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.63 грн
21+15.77 грн
100+5.63 грн
1000+3.94 грн
3000+3.02 грн
9000+2.53 грн
24000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN313DLT-7 Diodes INC. DMN313DLT.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 270 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 36,3 @ 5, Qg, нКл = 0,5, Rds = 2 Ом, Ugs(th) = 1,5, Р, Вт = 0,28, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-523-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 2800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN313DLT-7 DMN313DLT.pdf
DMN313DLT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36.3 pF @ 5 V
на замовлення 5604978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.20 грн
28+10.89 грн
100+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN313DLT-7 DMN313DLT.pdf
DMN313DLT-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET FET BVDSS 25V 30V N-Ch Enh Mode 0.5nc
на замовлення 8182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.63 грн
21+15.77 грн
100+5.63 грн
1000+3.94 грн
3000+3.02 грн
9000+2.53 грн
24000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN313DLT-7 DMN313DLT.pdf
Виробник: Diodes INC.
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 270 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 36,3 @ 5, Qg, нКл = 0,5, Rds = 2 Ом, Ugs(th) = 1,5, Р, Вт = 0,28, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-523-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 2800 шт
В кошику  од. на суму  грн.